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        公司新聞

        可控硅設計RC吸收回路的選擇

          為了抑制變流裝置換相過電壓,以保護整流元件及可控硅,需要在元件陽、陰極(或第一陽極與第二陽極→雙向可控硅)之間并聯(lián)RC阻容保護電路。
        阻容保護的電阻和電容選擇如下:
        1、電阻的選擇。阻值的計算公式為

        式中  R—電阻值(Ω)
               Ud—整流輸出電壓平均值(V)
               IT—可控硅通態(tài)平均電流(A)。
        電阻功率PR按下式選擇
                    PR=(0.5~0.7)R
        式中  PR—電阻功率(W)。
        2、電容器的選擇。電容器容量的計算公式為
                    C=(2.5~5)*10-3IT
        式中  C—電容器容量(μF)
               IT—可控硅通態(tài)平均電流(A).
        電容器的耐壓值
                    UC≥2.2U2m
        式中  U2m—整流變壓器二次線電壓峰值(V)。

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