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| 符號(hào) | 英文單詞參數(shù) | 中文參數(shù) | 說明 | 單位 |
| IT(AV) | AVERAGE ON-STATE CURRENT | 通態(tài)平均電流 | 國(guó)標(biāo)規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40oC和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。同電力二極管一樣，這個(gè)參數(shù)是按照正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應(yīng)來定義的。因此在使用時(shí)同樣應(yīng)按照實(shí)際波形的電流與通態(tài)平均電流所造成的發(fā)熱效應(yīng)相等，即有效值相等的原則來選取晶閘管的此項(xiàng)電流定額，并應(yīng)留一定的裕量。一般選取其通態(tài)平均電流為按此原則所得計(jì)算結(jié)果的1.5-2倍。 | A |
| VTM | Peak on-state voltage drop | 通態(tài)峰值電壓 | 指器件通過規(guī)定正向峰值電流IFM(整流管)或通態(tài)峰值電流ITM(晶閘管)時(shí)的峰值電壓也稱峰值壓降該參數(shù)直接反映了器件的通態(tài)損耗特性影響著器件的通態(tài)電流額定能力。 | V |
| IDRM | Maximum forward or reverse leakage current | 斷態(tài)重復(fù)峰值漏電流 | 為晶閘管在阻斷狀態(tài)下承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)流過元件的正反向峰值漏電流該參數(shù)在器件允許工作的最高結(jié)溫Tjm下測(cè)出。 | mA |
| IRRM | Maximum reverse leakage current | 反向重復(fù)峰值漏電流 | mA | |
| IDSM | 斷態(tài)不重復(fù)平均電流 | 門極斷路時(shí)，在額定結(jié)溫下對(duì)應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。 | A | |
| VTO | On state threshold voltage |
門 檻電壓 |
- | V |
| IT(RMS) | On-State RMS Current (full sine wave) | 通態(tài)電流均方值 | - | A |
| ITSM | Non-Repetitive Peak on-state Current | 通態(tài)浪涌電流(通態(tài)不重復(fù)峰值電流) | 浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過載電流。浪涌電流有上下兩個(gè)級(jí)，這個(gè)參數(shù)可用來作為設(shè)計(jì)保護(hù)電路的依據(jù)。 | A |
| IGM | Forward Peak Gate Current | 門極峰值電流 | - | A |
| I2T | Circuit Fusing Consideration | 周期電流平方時(shí)間積 | - | A2ses |
| dIT/dt | Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3) | 通態(tài)臨界電流上升率 | 當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發(fā)下導(dǎo)通，門極臨近處立即導(dǎo)通，然后迅速擴(kuò)展至整個(gè)有效面積。這遲后的時(shí)間有一個(gè)極限，即負(fù)載電流上升率的許可值。過高的dIT/dt可能導(dǎo)致局部燒毀，并使T1-T2 短路。假如過程中限制dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或?qū)〞r(shí)的dIT/dt有可能被超出，可在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾μH的不飽和（空心）電感。 | A/μs |
| VDRM | Repetitive peak off-state voltage | 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 | 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓.國(guó)標(biāo)規(guī)定重復(fù)頻率為50H，每次持續(xù)時(shí)間不超高10ms。規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓DRM為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即斷態(tài)最大瞬時(shí)電壓）UDSM的90%.斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于正向轉(zhuǎn)折電壓bo，所留裕量大小由生產(chǎn)廠家自行規(guī)定。UU | V |
| VRRM | 反向重復(fù)峰值電壓 | 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。 | ||
| VPP | Non repetitive line peak pulse voltage | 最高不重復(fù)線路峰值電壓 | - | v |
| Visol | R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink | 引腳到外殼最大絕緣電壓 | - | V |
| PG(AV) | Average gate power dissipation | 門極平均散耗功率 | - | W |
| PGM | Peak gate power | 門極最大峰值功率 | - | W |
| PG(AV) | Average Gate Power | 門極平均功率 | - | W |
| Tj | Operating Junction Temperature Range | 工作結(jié)溫 |
為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證 Rth j-a 足夠低，維持Tj不高于80%Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。 |
℃ |
| Tstg | Storage Temperature Range | 貯存溫度 | - | ℃ |
| TL | Max.Lead Temperature for Soldering Purposes | 引腳承受焊錫極限溫度 | - | ℃ |
| Rth(j-mb) | Thermal Resistance Junction to mounting base | 熱阻-結(jié)到外殼 | - | ℃/W |
| Rth(j-a) | Thermal Resistance Junction-to-ambient | 熱阻-結(jié)到環(huán)境 | - | ℃/W |
| IGT | Triggering gate current | 門極觸發(fā)電流 | 為了使可控硅可靠觸發(fā)，觸發(fā)電流Igt選擇25度時(shí)max值的α倍，α為門極觸發(fā)電流—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中最低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無特殊需要，通常選型時(shí)α取大于1.5倍即可。 | mA |
| IH | Holding Current | 維持電流 | 維持可控硅維持通態(tài)所必需的最小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。 | mA |
| IL | Latching Current (IGT3) | 接入電流(第三象限)/擎住電流 | 擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的最小電流。對(duì)同一晶閘管來說，通常IL約為IH的2--4倍。 | mA |
| ID | Off-state leakage current | 斷態(tài)漏電流 | - | mA |
| VGT | Triggering gate voltage | 門極觸發(fā)電壓 | —可以選擇Vgt 25度時(shí)max值的β倍。β為門極觸發(fā)電壓—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中最低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無特殊需要，通常選擇時(shí)β取1~1.2倍即可。 | V |
| VGD | Non-triggering gate voltage | 門極不觸發(fā)電壓 | - | V |
| VFGM | Peak Forward Gate Voltage | 門極正向峰值電壓 | - | V |
| VRGM | Peak Reverse Gate Voltage | 門極反向峰值電壓 | - | V |
| IFGM | Peak Forward Gate Current | 門極正向峰值電流 | - | A |
| VTM | Peak Forward On-State Voltage | 通態(tài)峰值電壓 | 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅 | V |
| dV/dt | Critical Rate of Rise of Off-state Voltage | 斷態(tài)臨界電壓上升率 | dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容，如圖2所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩端會(huì)出現(xiàn)等效電流，這個(gè)電流就會(huì)成為Ig，也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流，導(dǎo)致誤觸發(fā) | V/uS |
| (dI/dt)c | Critical rate of decrease of commutating on-state current | 通態(tài)電流臨界上升率 | 指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。如果電流上升太快，則晶閘管剛一開通，便會(huì)有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。 | A/ms |
| dVCOM/dt | Critical rate of change of commutating voltage | 臨界轉(zhuǎn)換電壓上升率 | 切換電壓上升率dVCOM/dt。驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí)，負(fù)載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng)。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零。這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過允許值，會(huì)迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài)，因?yàn)檩d流子沒有充分的時(shí)間自結(jié)上撤出。 | V/uS |
| dICOM/dt | 切換時(shí)負(fù)載電流下降率 | dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力下降。 結(jié)面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如雙向可控硅的dVCOM/dt的允許值有可能被超過，為避免發(fā)生假觸發(fā)，可在T1 和T2 間裝置RC緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用47~100Ω的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容，晶閘管關(guān)斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流，此過程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。 | A/mS | |
| tgt | Gate Controlled Delay Time | 門極控制延遲時(shí)間 | - | us |
| Tq | Circuit Commutated Turn-off Time | 周期轉(zhuǎn)換關(guān)斷時(shí)間 | 恢復(fù)晶閘管電壓阻斷能力所需的最小電路換流反壓時(shí)間。 | us |
| Rd | Dynamic Resistance ( Tj=125℃) | 動(dòng)態(tài)阻抗 | - |
mΩ |
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