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可控硅應(yīng)用設(shè)計(jì)中注意限制電流上升率di/dt的保護(hù)

可控硅導(dǎo)通瞬間，電流上升率di/dt很大，當(dāng)電流還來不及擴(kuò)大到可控硅內(nèi)部結(jié)的全部面積時，門極附近已出現(xiàn)局部過熱而造成的損壞。電路中的電容量越大，di/dt也就越大。為此，在整流或者逆變電路中都要考慮限制di/dt的問題。

整流電路中如有變壓器，其漏感雖對di/dt有一定的限制作用，但若變壓器二次側(cè)所接的RC吸收電路阻抗值過小或元件相并聯(lián)時，可控硅仍有可能在換流期間因di/dt過大而損壞。為此可在每只可控硅元件上串入電感L，以限制di/dt＜10A/μs。

限制電感L的選擇：

1、一般電路：

L=U2m/10（μH）

式中：U2m—加于可控硅正向電壓峰值，即變壓器二次電壓峰值（V）。

2、逆變電路：

50A以上的可控硅，L最好采用飽和電抗器，使限流電感在小電流時可限制di/dt＜10A/μs，而在最大電流時，鐵心飽和，其電感量能滿足在關(guān)閉可控硅正向電流到零后，可在2μs內(nèi)使反向電流等于正向電流幅值。飽和電抗器的電感量為

最大電流時

L=U2m/IT(μH)

最小電流時

L=U2m/10(μH)

式中：IT—可控硅通態(tài)平均電流（A）。

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