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設(shè)計(jì)單向可控硅線路注意V/I特性

當(dāng)在單向可控硅的正負(fù)主極之間外加反向電壓時(shí)，此時(shí)無論G極是否施加何種極性的觸發(fā)電流，單向可控硅始終處于截止?fàn)顟B(tài)，這種狀態(tài)我們稱之為反向阻斷。如果外加電壓大于單向可控硅的反向重復(fù)峰值電壓（VRRM），達(dá)到擊穿電壓VBR時(shí)，此時(shí)的單向可控硅就與反向擊穿下的二極管相同，處于熱擊穿狀態(tài)，如果引起過熱，單向可控硅同樣會(huì)被永久破壞。

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