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        行業(yè)新聞

        可控硅背面蒸發(fā)

        目的:

                    1、使器件背面的半導(dǎo)體與金屬間形成良好的歐姆接觸。

                    2、有利于組裝,裝片時形成低阻的歐姆接觸。

                    3、提高器件的耗散功率。

         

        常見的方法:

         

        方法

        種類

        真空蒸發(fā)

        電阻加熱蒸發(fā)

        電子束蒸發(fā)

        濺射

        兩極直流濺射

        高頻濺射

        等離子體濺射

        磁控濺射


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